现代集成电路半导体器件

1 (p1): 第1章 半导体中的电子和空穴
2 (p1-1): 1.1 硅的晶体结构
3 (p1-2): 1.2 电子和空穴的成键模型
5 (p1-3): 1.3 能带模型
7 (p1-4): 1.4 半导体、绝缘体和导体
8 (p1-5): 1.5 电子和空穴
10 (p1-6): 1.6 态密度
11 (p1-7): 1.7 热平衡与Fermi函数
13 (p1-8): 1.8 电子和空穴的浓度
17 (p1-9): 1.9 n和p的通用理论
20 (p1-10): 1.10 在极端温度下的载流子浓度
21 (p1-11): 1.11 本章小结
21 (p1-12): 习题
23 (p1-13): 参考文献
24 (p1-14): 相关阅读资料
25 (p2): 第2章 电子和空穴的运动与复合
25 (p2-1): 2.1 热运动
27 (p2-2): 2.2 漂移
32 (p2-3): 2.3 扩散电流
34 (p2-4): 2.4 能带图与V、？的关系
34 (p2-5): 2.5 D和μ之间的爱因斯坦关系
36 (p2-6): 2.6 电子-空穴复合
37 (p2-7): 2.7 热产生
37 (p2-8): 2.8 准平衡和准Fermi能级
39 (p2-9): 2.9 本章小结
40 (p2-10): 习题
41 (p2-11): 参考文献
41 (p2-12): 相关阅读资料
42 (p3): 第3章 器件制造技术
42 (p3-1): 3.1 器件制造简介
43 (p3-2): 3.2 硅的氧化
45 (p3-3): 3.3 光刻
49 (p3-4): 3.4 图形转移——刻蚀
50 (p3-5): 3.5 掺杂
53 (p3-6): 3.6 掺杂剂的扩散
54 (p3-7): 3.7 薄膜淀积
58 (p3-8): 3.8 互连——后端工序
60 (p3-9): 3.9 测试、组装与合格鉴定
61 (p3-10): 3.10 本章小结——一个器件的制造实例
62 (p3-11): 习题
64 (p3-12): 参考文献
64 (p3-13): 相关阅读资料
65 (p4): 第4章 PN结和金属-半导体结
65 (p4-1): 第1部分：PN结
65 (p4-1-1): 4.1 PN结的理论基础
68 (p4-1-2): 4.2 耗尽层模型
70 (p4-1-3): 4.3 反偏PN结
71 (p4-1-4): 4.4 电容-电压特性
73 (p4-1-5): 4.5 结击穿
75 (p4-1-6): 4.6 正向偏置时的载流子注入——准平衡边界条件
78 (p4-1-7): 4.7 电流连续性方程
79 (p4-1-8): 4.8 正偏PN结中的过剩载流子
81 (p4-1-9): 4.9 PN结二极管的I-V特性
84 (p4-1-10): 4.10 电荷存储
85 (p4-1-11): 4.11 二极管的小信号模型
85 (p4-2): 第2部分：PN结在光电器件中的应用
85 (p4-2-1): 4.12 太阳能电池
90 (p4-2-2): 4.13 发光二极管和固态照明
93 (p4-2-3): 4.14 二极管激光器
97 (p4-2-4): 4.15 光电二极管
97 (p4-3): 第3部分：金属-半导体结
97 (p4-3-1): 4.16 Schottky势垒
100 (p4-3-2): 4.17 热发射理论
100 (p4-3-3): 4.18 Schottky二极管
102 (p4-3-4): 4.19 Schottky二极管的应用
103 (p4-3-5): 4.20 量子力学隧道效应
103 (p4-3-6): 4.21 欧姆接触
106 (p4-3-7): 4.22 本章小结
108 (p4-4): 习题
113 (p4-5): 参考文献
114 (p4-6): 相关阅读资料
115 (p5): 第5章 MOS电容
116 (p5-1): 5.1 平带条件和平带电压
117 (p5-2): 5.2 表面积累
119 (p5-3): 5.3 表面耗尽
120 (p5-4): 5.4 阈值电压
121 (p5-5): 5.5 高于阈值的强反型
124 (p5-6): 5.6 MOS结构的C-V特性
128 (p5-7): 5.7 氧化层电荷——对Vfb和Vt的修正
130 (p5-8): 5.8 多晶硅栅的耗尽——等效Tox的增大
131 (p5-9): 5.9 反型层和积累层厚度以及量子力学效应
133 (p5-10): 5.10 CCD和CMOS成像传感器
137 (p5-11): 5.11 本章小结
139 (p5-12): 习题
144 (p5-13):…